Pulslaserdioden
Laserdioden
Pulslaserdioden für LiDAR, Entfernungsmessung und OTDR
Hohe optische Spitzenleistung in kurzen Pulsen: Pulslaserdioden von SemiNex eignen sich für anspruchsvolle Time-of-Flight-Systeme, Laserentfernungsmesser, industrielle 3D-Sensorik und die Glasfaserdiagnose. IMM Photonics unterstützt Sie bei der Auswahl von Wellenlänge, Leistung, Gehäuse und Optik – bis zur kundenspezifischen Integration.
Was ist eine Pulslaserdiode?
Eine Pulslaserdiode ist eine Halbleiterlaserdiode, die mit kurzen Stromimpulsen betrieben wird. Dadurch liefert sie für Nanosekunden eine hohe optische Spitzenleistung, während die mittlere Leistung durch das Tastverhältnis deutlich niedriger bleibt. Diese Betriebsart ist ideal, wenn in einem kurzen Messfenster möglichst viele Photonen benötigt werden.
1550 nm Triple-Junction Laserdioden
Bei der Triple-Junction-Technologie sind drei Laserstrukturen monolithisch übereinander integriert. Dadurch steigt die optische Ausgangsleistung gegenüber einer einzelnen Junction. Hier sind bei 1550nm Spitzenleistungen bis zu 100 W möglich. Typische Pulsbreiten liegen zwischen 2 ns und 150 ns.
Typische Anwendungen
Pulslaserdioden werden vor allem in Time-of-Flight-LiDAR, Laserentfernungsmessern und industriellen 3D-Sensorsystemen eingesetzt, wo kurze, leistungsstarke Lichtpulse präzise Distanzmessungen ermöglichen. In OTDR-Systemen dienen sie zur Analyse von Glasfasern und zur Lokalisierung von Dämpfungsstellen, Spleißen und Fehlern. Weitere Einsatzgebiete sind professionelle medizinische OEM-Geräte sowie industrielle Beleuchtungs- und Sensorsysteme.
Warum IMM Photonics?
Als unabhängiger Anbieter optischer und optoelektronischer Komponenten verbindet IMM Photonics fundierte Beratung mit Entwicklung und Fertigung. Wir unterstützen Sie nicht nur bei der Auswahl der Pulslaserdiode, sondern auch bei Kollimation, Faserkopplung, Mechanik, Elektronik, Prototyping und Serienintegration. Teilen Sie uns Wellenlänge, gewünschte Pulsleistung, Pulsbreite, Wiederholrate, Strahlparameter und Umgebungsbedingungen mit – wir prüfen die passende Lösung.
| Bezeichnung | Wellenlänge | Optische Leistung <10 ns Puls | Optische Leistung <150 ns Puls | Gehäuse |
|---|---|---|---|---|
| 1310 nm | 42 W (±10%) | 19 W (±10%) | TO56 | |
| 1310 nm | 42 W (±10%) | 20 W (±10%) | TO9 | |
| 1360 nm | 36 W (±10%) | 19 W (±10%) | TO9 | |
| 1450 nm | 30 W (±10%) | 16 W (±10%) | TO9 | |
| 1460 nm | 25 W (±10%) | 14 W (±10%) | TO9 | |
| 1525 nm | 25 W (±10%) | 14 W (±10%) | TO9 | |
| 1550 nm | 14 W (±10%) | 52 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 20 W (±10%) | 35 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 20 W (±10%) | 52 W (±10%) | TO9 | |
| 1550 nm | 24 W (±10%) | 35 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 25 W (±10%) | 35 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 25 W (±10%) | 20 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 25 W (±10%) | 27 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 25 W (±10%) | 35 W (±10%) | TO9 | |
| 1550 nm | 32 W (±10%) | 24 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 40 W (±10%) | 15 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 48 W (±10%) | 15 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 50 W (±10%) | 15 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 50 W (±10%) | 8 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 50 W (±10%) | 15 W (±10%) | TO9 | |
| 1550 nm | 50 W (±10%) | 13 W (±10%) | TO9 | |
| 1550 nm | 60 W (±10%) | 9 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 60 W (±10%) | 14 W (±10%) | TO9 | |
| 1550 nm | 70 W (±10%) | 30 W (±10%) | TO9 | |
| 1550 nm | 100 W (±10%) | 75 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 100 W (±10%) | 52 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 100 W (±10%) | 75 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 100 W (±10%) | 52 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 100 W (±10%) | 75 W (±10%) | TO56 | |
| 1550 nm | 100 W (±10%) | 75 W (±10%) | TO9 | |
| 1550 nm | 100 W (±10%) | 75 W (±10%) | TO9 | |
| 1560 nm | 14 W (±10%) | 9 W (±10%) | TO9 | |
| 1565 nm | 40 W (±10%) | 24 W (±10%) | TO9 | |
| 1625 nm | 1,5 W (±10%) | 0,7 W (±10%) | TO9 | |
| 1650 nm | 1,4 W (±10%) | 0,5 W (±10%) | TO9 | |
| 1670 nm | 40 W (±10%) | 14 W (±10%) | TO9 |
Häufig gestellte Fragen (FAQs) zu Pulslaserdioden
Die Spitzenleistung liegt während des kurzen Lichtpulses an. Die mittlere Leistung berücksichtigt zusätzlich Pulsdauer und Wiederholrate. Vereinfacht gilt bei rechteckigen Pulsen: mittlere Leistung = Spitzenleistung × Tastverhältnis.
Nicht automatisch. 1550 nm reduziert das Risiko einer Netzhautschädigung gegenüber dem retinalen Gefahrenbereich, kann bei hoher Exposition aber Hornhaut und Linse schädigen. Die Laserklasse wird für das vollständige Produkt nach IEC 60825-1 bestimmt.
905 nm und 1550 nm sind verbreitete Optionen. 1550 nm ermöglicht unter geeigneten Systembedingungen höhere zulässige Emissionen, erfordert jedoch passende NIR-Detektoren und ein abgestimmtes optisches sowie thermisches Design.
Für SemiNex-Triple-Junction-Laserdioden werden typischerweise Pulsbreiten von 2 ns bis 150 ns genannt. Die zulässige Betriebsweise hängt vom konkreten Typ, Treiber, Tastverhältnis und der Kühlung ab.
Je nach Produktfamilie stehen Chip-on-Carrier, TO56, TO9 sowie fasergekoppelte und kundenspezifische Ausführungen zur Verfügung. Die optimale Bauform richtet sich nach Leistung, Wärmeabfuhr, Strahlformung und Montagekonzept.
Hilfreich sind Zielwellenlänge, erforderliche Spitzenleistung oder Pulsenergie, Pulsbreite, Wiederholrate, Emitter- und Strahlparameter, gewünschtes Gehäuse, Kühlung, Betriebstemperatur, Stückzahl und Angaben zur Anwendung.
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